Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
DSBGA4
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
-12В
Обозначение производителя
CSD23202W10T
Полярность
полевой
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Рассеиваемая мощность
1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
123мОм
Технология
NexFET™
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,2А
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Отзывы не найдены