Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
DSBGA9
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±6В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
CSD25202W15T
Полярность
полевой
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Технология
NexFET™
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4А
Ток стока в импульсном режиме
-38А
Отзывы не найдены