Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 387

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC Код производителяSI4434ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 4,1А; Idm: 25А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4434DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3А; Idm: 30А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4434DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3А; Idm: 30А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI4436DY-T1-E3 КорпусSO8
162.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 25А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC Код производителяSI4436DY-T1-GE3 КорпусSO8
173.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,8А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4442DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4442DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 22А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4442DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4442DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 22А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSI4456DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4456DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 33А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSI4456DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4456DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 33А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4464DY-T1-E3 КорпусSO8
494.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4464DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI4488DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4488DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 5А; Idm: 50А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI4488DY-T1-GE3 КорпусSO8
597.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4488DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI4490DY-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4490DY-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,2А; 3,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI4490DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4490DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 4А; Idm: 40А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI4490DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4490DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,85А; Idm: 40А; 1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяSI4626ADY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4626ADY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC Код производителяSI4630DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4630DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC Код производителяSI4630DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4630DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяSI4634DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4634DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж