Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 450

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.96 
Доступность: 382 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN4A06GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN4A06KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10,9А; 4,2Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.56 
Доступность: 3104 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,1А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
116.21 
Доступность: 657 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMN6A08E6QTA Полярностьполевой
159.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A08E6QTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A08GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,8А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
289.76 
Доступность: 789 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A09GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
168.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A25KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; 4,25Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.19 
Доступность: 120 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN7A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 70В; 3А; 2Вт; SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD
208.72 
Доступность: 504 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMS6005DGTA, Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2А; 1,3Вт; SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD
235.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMS6006SGTA, Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора8,9нC КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-4...20В
898.32 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAH01170XA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
133.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRFR220TRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 19А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяNTB004N10G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
1 045.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTB004N10G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,22мкC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 006.12 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR02120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусTO247-4-TSC МонтажTHT
2 294.34 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR0365XA-TC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 110А; Idm: 220А; 490Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 196.48 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR04120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-4-TSC МонтажTHT
2 587.16 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR04120PA-TC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 196.48 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MANR04120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN0104N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж