Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 46

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
50.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
112.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
55.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
135.78 
Доступность: 2517 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
78.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
265.57 
Доступность: 1413 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
195.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
104.28 
Доступность: 1976 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
40.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSD214SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
56.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSD316SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; 0,5Вт; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ SQ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток25В
132.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSF030NE2LQXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 75А; 28Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
77.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH103,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,85А; 500мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBSH103BKR Полярностьполевой
52.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH103BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
53.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH105,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,67А; 417мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
76.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH108,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,2А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
24.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH111BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,13А; 364мВт; SOT23,TO236AB" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL296SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,4А; 2Вт; TSOP6; ESD" 3.

Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
69.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL372SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; 2Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
99.02 
Доступность: 4270 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL606SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,5А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
46.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL802SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; 2Вт; TSOP6" 3.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж