Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 56

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC031N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
227.06 
Доступность: 1144 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC032NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 84А; 37Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
247.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC034N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
188.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
263.76 
Доступность: 4141 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC036NE7NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC037N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
321.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC039N06NS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC040N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC040N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
196.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
222.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042NE7NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC046N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC047N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0501NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
206.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0504NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 64А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж