Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.10

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
CSD25481F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
178.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25483F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
79.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25484F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
101.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25485F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
178.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD25501F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
194.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

0.0
DI005P04PW-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
43.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI005P04PW-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 3.

0.0
DI005P04PW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
120.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI005P04PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -5,4А; Idm: -40А; 2Вт; QFN2X2" 1.

0.0
DI006P02PW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
86.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI006P02PW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -36А; 2Вт; QFN2X2" 1.

0.0
DI020P06PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
105.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI020P06PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI022P06D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
109.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

0.0
DI022P06D1-Q-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
120.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI022P06D1-Q, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -16,1А; Idm: 60А; 43Вт; DPAK" 1.

0.0
DI035P02PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
128.85 
Доступность: 254 шт.
+

Минимальное количество для товара "DI035P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI035P04PT-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
113.04 
Доступность: 5000 шт.
+

Минимальное количество для товара "DI035P04PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI040P04D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
231.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

0.0
DI040P04D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

0.0
DI040P04PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
164.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040P04PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -160А; 22,7Вт" 1.

0.0
DI050P02PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI050P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -31А; Idm: -180А; 35,7Вт" 1.

0.0
DI050P03PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI050P03PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А; 39Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI064P04D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
188.14 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI064P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -350А; 48,3Вт" 1.

0.0
DI064P04D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
158.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI064P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -350А; 48,3Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж