Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P

AONS21321, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 9,8Вт; DFN5x6

0.0

КОД:

AONS21321

Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В

‍25‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AONS21321, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 9,8Вт; DFN5x6" 3000.

AONS21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -36А; 19Вт; DFN5x6

0.0

КОД:

AONS21357

Вид каналаобогащенный Заряд затвора25нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В

‍117‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AONS21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -36А; 19Вт; DFN5x6" 1.

AOSN21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOSN21319C

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOSN21319C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

‍26‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AOSN21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

AOSP21307, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

AOSP21307

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В

‍109‍ ₽

Доступность: 1070 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOSP21307, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2Вт; SO8" 1.

AOSP21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOSP21313C

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOSP21313C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

‍16‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AOSP21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

AOSP21321, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

AOSP21321

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В

‍47‍ ₽

Доступность: 2621 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOSP21321, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,5А; 2Вт; SO8" 3.

AOSP21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

AOSP21357

Вид каналаобогащенный Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В

‍136‍ ₽

Доступность: 161 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOSP21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,5А; 2Вт; SO8" 1.

AOSS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23

0.0

КОД:

AOSS21115C

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍31‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AOSS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23" 5.

AOTF409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -17А; 21Вт; TO220F

0.0

КОД:

AOTF409

Вид каналаобогащенный Заряд затвора43нC КорпусTO220F МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍192‍ ₽

Доступность: 909 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOTF409, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -17А; 21Вт; TO220F" 1.

AOTF4185, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; 16Вт; TO220F

0.0

КОД:

AOTF4185

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18,6нC КорпусTO220F МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍190‍ ₽

Доступность: 1004 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOTF4185, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; 16Вт; TO220F" 1.

AOTS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 6,6А; 2,5Вт; TSOP6

0.0

КОД:

AOTS21115C

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍22‍ ₽

Доступность: 1405 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOTS21115C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 6,6А; 2,5Вт; TSOP6" 5.

AOTS21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 30В; 5,9А; 2,5Вт; TSOP6

0.0

КОД:

AOTS21311C

Вид каналаобогащенный Заряд затвора26нC КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍47‍ ₽

Доступность: 660 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOTS21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 30В; 5,9А; 2,5Вт; TSOP6" 3.

AOTS21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOTS21313C

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOTS21313C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

‍11‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AOTS21313C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

AOTS21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOTS21319C

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOTS21319C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

‍9‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AOTS21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

AOY423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO251B

0.0

КОД:

AOY423

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусTO251B МонтажTHT Напряжение затвор-исток±25В

‍141‍ ₽

Доступность: 2377 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "AOY423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO251B" 1.

AUIRF4905S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; 170Вт; D2PAK

0.0

КОД:

AUIRF4905S

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD

1 265 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "AUIRF4905S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; 170Вт; D2PAK" 1.

BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт

0.0

КОД:

BS250FTA

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍115‍ ₽

Доступность: 339 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт" 1.

BS250P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,23А; 0,7Вт; TO92

0.0

КОД:

BS250P-DIC

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍187‍ ₽

Доступность: 4112 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "BS250P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,23А; 0,7Вт; TO92" 1.

BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC030P03NS3GAUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

‍348‍ ₽

Доступность: 3853 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC084P03NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

‍70‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.