Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.68

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
TP0610T-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
199.21 
Доступность: 132 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

0.0
TP2104K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.85 
Доступность: 124 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

0.0
TP2104N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
115.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP2104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
110.67 
Доступность: 927 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP2502N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
237.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP2510N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
216.60 
Доступность: 1635 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP2520N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
240.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP2535N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
82.21 
Доступность: 342 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP2540N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
243.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт" 1.

0.0
TP2540N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
240.32 
Доступность: 270 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

0.0
TP2640LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
354.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

0.0
TP2640N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
294.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
TP5322K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
117.00 
Доступность: 86 шт.
+

Минимальное количество для товара "TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
TP5322N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP5335K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
TPC8125
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусSOP8 МонтажSMD
156.52 
Доступность: 1662 шт.
+

Минимальное количество для товара "TPC8125,LQ(S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 1Вт; SOP8" 1.

0.0
TPS1100D
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора5,45нC КорпусSO8
233.99 
Доступность: 66 шт.
+

Минимальное количество для товара "TPS1100D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD" 1.

0.0
TQM84KCU-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT323 МонтажSMD
50.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM84KCU RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -160мА; 300мВт; SOT323" 1.

0.0
TQM84KCX-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TQM84KCX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23" 1.

0.0
TSM085P03CS-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора56нC КорпусSOP8 МонтажSMD
196.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM085P03CS RLG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; 2,8Вт; SOP8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж