Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P

VP0109N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -90В; -0,5А; 1Вт; TO92

0.0

КОД:

VP0109N3-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍234‍ ₽

Доступность: 64 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP0109N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -90В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

VP0550N3-G-P013, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92

0.0

КОД:

VP0550N3-G-P013

Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍321‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "VP0550N3-G-P013, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92" 1.

VP0550N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92

0.0

КОД:

VP0550N3-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍92‍ ₽

Доступность: 580 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP0550N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92" 1.

VP0808L-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,1А; 1Вт; TO92

0.0

КОД:

VP0808L-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В

‍292‍ ₽

Доступность: 322 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP0808L-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,1А; 1Вт; TO92" 1.

VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92

0.0

КОД:

VP2106N3-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍166‍ ₽

Доступность: 696 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3

0.0

КОД:

VP2110K1-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍144‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3" 1.

VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39

0.0

КОД:

VP2206N2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

4 474 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39" 1.

VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

0.0

КОД:

VP2206N3-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍484‍ ₽

Доступность: 43 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт

0.0

КОД:

VP2450N3-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍306‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт" 1.

VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

0.0

КОД:

VP2450N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍428‍ ₽

Доступность: 163 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт" 1.

VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

0.0

КОД:

VP3203N3-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

‍362‍ ₽

Доступность: 176 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

VP3203N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍379‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

WM01P41M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23

0.0

КОД:

WM01P41M-CYG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяWM01P41M

‍66‍ ₽

Доступность: 2995 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM01P41M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23" 1.

WM01P60M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23

0.0

КОД:

WM01P60M-CYG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяWM01P60M

‍84‍ ₽

Доступность: 1465 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM01P60M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23" 1.

WM02P06F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN1006-3; ESD

0.0

КОД:

WM02P06F-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD

‍66‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "WM02P06F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN1006-3; ESD" 1.

WM02P06G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT323; ESD

0.0

КОД:

WM02P06G-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT323 МонтажSMD

‍61‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "WM02P06G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT323; ESD" 1.

WM02P06H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT723; ESD

0.0

КОД:

WM02P06H-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT723 МонтажSMD

‍54‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "WM02P06H, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT723; ESD" 1.

WM02P06L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT523; ESD

0.0

КОД:

WM02P06L-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT523 МонтажSMD

‍54‍ ₽

Доступность: 2200 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02P06L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT523; ESD" 1.

WM02P14G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT323

0.0

КОД:

WM02P14G-CYG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT323 МонтажSMD Обозначение производителяWM02P14G

‍58‍ ₽

Доступность: 3000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02P14G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT323" 1.

WM02P160R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN2020-6

0.0

КОД:

WM02P160R-CYG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN2020-6 МонтажSMD Обозначение производителяWM02P160R

‍87‍ ₽

Доступность: 800 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02P160R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN2020-6" 1.