Товары из категории транзисторы униполярные, стр.105

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
DI035N06PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI035N06PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 20А; Idm: 110А; 35,7Вт" 1.

0.0
DI035N10PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
115.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI035N10PT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI035P02PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
128.85 
Доступность: 254 шт.
+

Минимальное количество для товара "DI035P02PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI035P04PT-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
113.04 
Доступность: 5000 шт.
+

Минимальное количество для товара "DI035P04PT-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI038N04PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
133.60 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI038N04PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI038N04PQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI038N04PQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI040N10D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусDPAK МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 160А; 140Вт; DPAK" 1.

0.0
DI040P04D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
231.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040P04D1-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

0.0
DI040P04D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
130.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040P04D1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -40А; Idm: -160А; 52Вт" 1.

0.0
DI040P04PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
164.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI040P04PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -27А; Idm: -160А; 22,7Вт" 1.

0.0
DI045N04PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI045N04PT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 30А; Idm: 60А; 41,7Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI045N10PQ-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
373.12 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI045N10PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 400А; 40Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI048N03PTK-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусQFN3X3 МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
109.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N03PTK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 48А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI048N04PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
114.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N04PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN5x6" 1.

0.0
DI048N04PQ2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
207.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N04PQ2-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт" 1.

0.0
DI048N04PQ2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусQFN5x6 МонтажSMD
109.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N04PQ2, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт" 1.

0.0
DI048N04PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48,5нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
60.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI048N04PT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 35А; Idm: 200А; 37,5Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI049N06PTK-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
135.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI049N06PTK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 32А; Idm: 300А; 25Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI049N06PTK-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусQFN3X3 МонтажSMD
128.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI049N06PTK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 32А; Idm: 300А; 25Вт; QFN3X3" 1.

0.0
DI050N06D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252AA МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "DI050N06D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)
Хиты продаж