Товары из категории транзисторы униполярные, стр.18

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BSS670S2LH6327XTSA
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток55В
34.40 
Доступность: 3823 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS670S2LH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,54А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS7728NH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
20.80 
Доступность: 2949 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS7728NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 10.

0.0
BSS806NEH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
56.00 
Доступность: 5916 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS806NEH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS806NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
40.00 
Доступность: 5619 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS816NWH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
35.20 
Доступность: 1569 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323" 1.

0.0
BSS83PH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPG-SOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
50.40 
Доступность: 16610 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS83PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,33А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

0.0
BSS84-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
21.60 
Доступность: 12567 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84-7-F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; Idm: -1,2А; 0,3Вт" 1.

0.0
BSS84-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
30.40 
Доступность: 5034 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт" 1.

0.0
BSS84-FAI
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
62.40 
Доступность: 2240 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS84.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 250мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSS8402DW-7-F
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
97.60 
Доступность: 3456 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS8402DW-7-F, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-50В" 1.

0.0
BSS8402DWQ-13
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкикатушка 13 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
42.40 
Доступность: 7602 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS8402DWQ-13, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-50В" 3.

0.0
BSS84A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
14.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,17А; Idm: -0,68А; 0,225Вт" 10.

0.0
BSS84AHZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
71.20 
Доступность: 2132 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84AHZGT116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

0.0
BSS84AK.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
26.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84AK,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,12А; 420мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSS84AKS.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
45.60 
Доступность: 458 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84AKS,115, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,1А; 445мВт" 1.

0.0
BSS84AKV.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC КорпусSOT666 МонтажSMD
59.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84AKV,115, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -110мА; Idm: -0,7А; 500мВт" 1.

0.0
BSS84AKW.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
29.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84AKW,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,095А; 310мВт; SC70,SOT323" 1.

0.0
BSS84DW-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
57.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84DW-7-F, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,13А; 0,3Вт; SOT363" 1.

0.0
BSS84DWQ-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.00 
Доступность: 1835 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84DWQ-7, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -0,13А; 0,3Вт; SOT363" 5.

0.0
BSS84K-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
25.60 
Доступность: 3526 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84K-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт" 1.

0.0
BSS84LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
13.60 
Доступность: 3405 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS84PH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT23 МонтажSMD
37.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84PH6327XTSA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

0.0
BSS84PWH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT-323 МонтажSMD
20.80 
Доступность: 4169 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84PWH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323" 1.

0.0
BSS84Q-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.80 
Доступность: 232 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84Q-7-F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS84T116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84T116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

0.0
BSS84V-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT563 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84V-7, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -130мА; 150мВт; SOT563" 3.

0.0
BSS84W-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.60 
Доступность: 3311 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84W-7-F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,2Вт; SOT323" 1.

0.0
BSS87.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSC62, SOT89 МонтажSMD
48.00 
Доступность: 37 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89" 1.

0.0
BSS87H6327FTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток240В
67.20 
Доступность: 553 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

0.0
BST82.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
19.20 
Доступность: 29195 шт.
 

Минимальное количество для товара "BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSV236SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
69.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSV236SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,5А; 0,56Вт; PG-SOT-363" 1.

0.0
BSZ018NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
232.00 
Доступность: 4970 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ018NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
286.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ019N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
204.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ025N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
215.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ028N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
169.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ034N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
72.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

0.0
BSZ035N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
247.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ040N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
186.40 
Доступность: 1938 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ042N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
224.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0506NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
108.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
99.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ067N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
204.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ068N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
245.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ084N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
150.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ086P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
83.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

0.0
BSZ088N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ088N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0901NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
227.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
211.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
113.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ097N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
101.60 
Доступность: 4907 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ0994NS
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ100N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
60.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ105N04NSG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ110N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
232.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ12DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
227.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ130N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ130N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ130N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
80.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ130N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ15DC02KDHXTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
206.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ15DC02KDHXTMA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,1/-3,2А; 2,5Вт" 1.

0.0
BSZ160N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
173.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ180P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ180P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ22DN20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
247.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ22DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ42DN25NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
230.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ42DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ440N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
248.80 
Доступность: 5889 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ440N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 18А; 29Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ520N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
215.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ520N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 57Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ900N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
162.40 
Доступность: 3006 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 13А; 38Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ900N20NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
254.40 
Доступность: 858 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ900N20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BUK4D38-20PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
70.40 
Доступность: 315 шт.
 

Минимальное количество для товара "BUK4D38-20PX, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт" 1.

0.0
BUK6607-55C.118
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусD2PAK, SOT404 МонтажSMD
241.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6607-55C,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 74А; Idm: 420А; 158Вт" 1.

0.0
BUK6D120-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
108.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D120-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 3,6А; Idm: 23А; 7,5Вт" 1.

0.0
BUK6D120-60PX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDFN2020MD-6, SOT1220 МонтажSMD
76.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D120-60PX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D125-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
73.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D125-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 30А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D210-60EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
60.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D210-60EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,1А; Idm: 23А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D22-30EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
68.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D22-30EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,7А; Idm: 89А; 19Вт" 1.

0.0
BUK6D23-40EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
82.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D23-40EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 76А; 15Вт" 1.

0.0
BUK6D230-80EX
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусDFN6, SOT1220 МонтажSMD
68.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BUK6D230-80EX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 3,6А; Idm: 20,4А; 15Вт" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)
Хиты продаж