Товары из категории транзисторы униполярные, стр.25

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
CSD18536KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 027.20 
Доступность: 309 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD18537NKCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора14нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
241.60 
Доступность: 125 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18537NKCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм" 1.

0.0
CSD18537NQ5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
201.60 
Доступность: 44 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18537NQ5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 75Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD18540Q5BT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
438.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD18540Q5BT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 188Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD18541F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD18541F5T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,2А; Idm: 21А; 500мВт" 1.

0.0
CSD18542KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
401.60 
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18542KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; 200Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD18542KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
468.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD18542KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD18542KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK МонтажSMD
412.80 
Доступность: 1780 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18542KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD18543Q3AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
280.00 
Доступность: 221 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18543Q3AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 66Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм" 1.

0.0
CSD18563Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
244.80 
Доступность: 352 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD18563Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 116Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19501KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора38нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
334.40 
Доступность: 124 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19501KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 217Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19502Q5BT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
540.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19502Q5BT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19503KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
300.80 
Доступность: 550 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19503KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 188Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19505KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
582.40 
Доступность: 1062 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19505KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 150А; 300Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19505KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
636.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19505KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19505KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
843.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19505KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19506KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO220-3 МонтажTHT
747.20 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19506KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 150А; 375Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19506KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
817.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19506KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19506KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
964.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19506KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19531KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора37нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
332.80 
Доступность: 95 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19531KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19531Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
344.00 
Доступность: 329 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19531Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 125Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19532KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
430.40 
Доступность: 136 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19532KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19532KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK МонтажSMD
288.00 
Доступность: 176 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19532KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19532Q5BT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
515.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19532Q5BT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19533KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора27нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
264.00 
Доступность: 263 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19533KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 188Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19533Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
340.80 
Доступность: 122 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19533Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 96Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19534KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,4нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
240.00 
Доступность: 139 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19534KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 118Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19534Q5A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
164.80 
Доступность: 1336 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19534Q5AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
302.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

0.0
CSD19535KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
588.80 
Доступность: 536 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 150А; 300Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19535KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
652.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19535KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусD2PAK МонтажSMD
728.00 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19536KCS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора118нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
801.60 
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 150А; 375Вт; TO220-3" 1.

0.0
CSD19536KTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
804.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19536KTTT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора118нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 036.80 
Доступность: 111 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

0.0
CSD19537Q3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
276.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19537Q3T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD19538Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусWSON6 МонтажSMD
94.40 
Доступность: 1937 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

0.0
CSD19538Q3AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
123.20 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q3AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм" 1.

0.0
CSD22204WT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
248.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

0.0
CSD22205LT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
107.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт" 1.

0.0
CSD22206WT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
268.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

0.0
CSD23202W10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
202.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4" 1.

0.0
CSD23203WT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
144.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

0.0
CSD23280F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
140.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD23285F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
228.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD23381F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
174.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

0.0
CSD23382F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
88.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23382F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25202W15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
291.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25202W15T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; Idm: -38А; 0,5Вт; DSBGA9" 1.

0.0
CSD25304W1015T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
254.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

0.0
CSD25310Q2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
78.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD25310Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусWSON6 МонтажSMD
109.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25310Q2T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -20А; Idm: 48А; 2,9Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD25402Q3AT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVSONP8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
140.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8" 1.

0.0
CSD25404Q3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,9нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
281.60 
Доступность: 373 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD25404Q3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; 96Вт; VSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD25480F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
186.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25480F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -10,6А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25481F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
180.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25483F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
80.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25483F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -6,5А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25484F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
103.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25484F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -22А; 500мВт" 1.

0.0
CSD25485F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
180.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25485F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD25501F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
196.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD25501F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -13,6А; 500мВт" 1.

0.0
CSD75208W1015T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий источник КорпусDSBGA6
187.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD75208W1015T, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт" 1.

0.0
CSD85301Q2T
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWSON6 МонтажSMD
234.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6" 1.

0.0
CSD85302LT
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий сток КорпусPICOSTAR4
272.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD85302LT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4; ESD" 1.

0.0
CSD87335Q3DT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,7/10,7нC КорпусLSON-CLIP8 МонтажSMD
296.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD87335Q3DT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 25А; 1,5Вт; LSON-CLIP8" 1.

0.0
CSD87502Q2T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD
184.00 
Доступность: 259 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

0.0
CSD88537NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
307.20 
Доступность: 214 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD88537NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
CSD88539NDT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
220.00 
Доступность: 385 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD88539NDT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8" 1.

0.0
DACMH120N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
45 600.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DACMH120N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 76А; HB9434; винтами; 500Вт" 1.

0.0
DACMH160N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
31 200.00 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "DACMH160N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; винтами; 580Вт" 1.

0.0
DACMH200N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
72 320.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DACMH200N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 125А; HB9434; винтами; 980Вт" 1.

0.0
DACMH40N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяDACMH40N1200
21 440.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DACMH40N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; HB9434; винтами; SiC" 1.

0.0
DACMH80N1200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
32 000.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DACMH80N1200, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 50А; HB9434; винтами; 460Вт" 1.

0.0
DACMI120N1200-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
19 520.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DACMI120N1200, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; 500Вт" 1.

0.0
DACMI160N1200-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
12 360.00 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "DACMI160N1200, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; винтами; 580Вт" 1.

0.0
DACMI200N1200-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
35 200.00 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "DACMI200N1200, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; винтами; 980Вт" 1.

0.0
DACMI40N1200-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяDACMI40N1200
5 808.00 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "DACMI40N1200, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

0.0
DACMI80N1200-DCO
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
9 331.20 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "DACMI80N1200, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; 460Вт" 1.

0.0
DAMH160N200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток200В Обозначение производителяDAMH160N200
25 600.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMH160N200, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 110А; HB9434; винтами" 1.

0.0
DAMH220N200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток200В Обозначение производителяDAMH220N200
27 200.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMH220N200, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 140А; HB9434; винтами" 1.

0.0
DAMH250N150-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток150В Обозначение производителяDAMH250N150
23 840.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMH250N150, Модуль; транзистор/транзистор; 150В; 150А; HB9434; винтами" 1.

0.0
DAMH280N200-DCO
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHB9434 Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток200В Обозначение производителяDAMH280N200
29 120.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DAMH280N200, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 180А; HB9434; винтами" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)
Хиты продаж