Товары из категории транзисторы униполярные, стр.30

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
B1M080120HK
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора149нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 618.97 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "B1M080120HK, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт" 1.

0.0
B2M032120Y
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO247PLUS-4 МонтажTHT
2 782.61 
Доступность: 51 шт.
+

Минимальное количество для товара "B2M032120Y, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт" 1.

0.0
B2M035120YP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247PLUS-4 МонтажTHT
2 782.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "B2M035120YP, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт" 1.

0.0
B2M065120H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 802.37 
Доступность: 61 шт.
+

Минимальное количество для товара "B2M065120H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт" 1.

0.0
B2M065120R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 754.94 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "B2M065120R, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт" 1.

0.0
B2M065120Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора60нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 691.70 
Доступность: 26 шт.
+

Минимальное количество для товара "B2M065120Z, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт" 1.

0.0
BF2040E6814
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT143 Напряжение затвор-исток±10В
36.36 
Доступность: 3760 шт.
+

Минимальное количество для товара "BF2040E6814HTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 8В; 40мА; 200мВт; SOT143; SMT" 5.

0.0
BS107P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
154.94 
Доступность: 1401 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS107P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92" 1.

0.0
BS107PSTZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
139.13 
Доступность: 809 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS107PSTZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92" 1.

0.0
BS170D26Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
64.03 
Доступность: 2283 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170D27Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
67.98 
Доступность: 5000 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170-D27Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170-D75Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
49.80 
Доступность: 29 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170-D75Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
44.27 
Доступность: 10150 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
141.50 
Доступность: 3443 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
BS170P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
171.54 
Доступность: 3666 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS170P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92" 1.

0.0
BS250FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
107.51 
Доступность: 339 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт" 1.

0.0
BS250P-DIC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
173.91 
Доступность: 3581 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS250P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,23А; 0,7Вт; TO92" 1.

0.0
BS270-D74Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
64.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BS270-D74Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 400мА; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92" 1.

0.0
BS270
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
58.50 
Доступность: 4594 шт.
+

Минимальное количество для товара "BS270, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92" 1.

0.0
BSC014N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
461.66 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC016N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC018N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
189.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC025N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
205.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC028N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
328.85 
Доступность: 2096 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC030N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
140.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC030N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC030P03NS3GAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
324.11 
Доступность: 3804 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC032N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
211.86 
Доступность: 1164 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC034N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
223.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N10NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
485.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC039N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
289.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC039N06NS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC042N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC042N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC042N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
192.89 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0503NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
228.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 50Вт; PG-TDSON-8" 2500.

0.0
BSC050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 72А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC050N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
105.93 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC050N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 71А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC052N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
249.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC052N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 95А; 83Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC054N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
71.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC054N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 81А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC057N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
50.59 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC057N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 58А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)
Хиты продаж