Товары из категории транзисторы униполярные, стр.31

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BSC057N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток30В
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC057N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 71А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC080N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
94.86 
Доступность: 1692 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC080N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC084P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
65.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
64.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0902NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
53.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 91А; 48Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0902NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
151.78 
Доступность: 4515 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0906NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
112.25 
Доступность: 2399 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC0906NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
132.81 
Доступность: 403 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 44А; 27Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0925NDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
60.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

0.0
BSC093N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
113.83 
Доступность: 3712 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC097N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
51.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
183.40 
Доступность: 2591 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC110N06NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC120N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
94.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC120N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

0.0
BSC123N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
223.72 
Доступность: 3337 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC150N03LDGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
114.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC190N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
252.96 
Доступность: 1688 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSC265N10LSFGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
182.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC340N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
124.11 
Доступность: 4431 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSD214SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
12.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSD214SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; SOT363" 10.

0.0
BSD223PH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
55.34 
Доступность: 1819 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

0.0
BSD235CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
64.82 
Доступность: 2659 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD235CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт" 1.

0.0
BSD235NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
51.38 
Доступность: 454 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD235NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSD316SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
62.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSD316SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSD840NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
56.92 
Доступность: 3911 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSD840NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSF030NE2LQXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ SQ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток25В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSF030NE2LQXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 75А; 28Вт" 1.

0.0
BSH103.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
44.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH103,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,85А; 500мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH103BKR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBSH103BKR Полярностьполевой
53.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH103BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BSH105.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH105,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,67А; 417мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH108.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
74.31 
Доступность: 38 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH108,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,2А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH111BKR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
23.72 
Доступность: 335 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH111BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,13А; 364мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH201.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH201,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH202.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
51.38 
Доступность: 2890 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH202,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,33А; 0,17Вт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH203.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
59.29 
Доступность: 1050 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH203,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH205G2R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
67.98 
Доступность: 2023 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSL207SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
105.14 
Доступность: 2850 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSL207SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

0.0
BSL211SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
108.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

0.0
BSL214NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
43.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSL214NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; TSOP6" 3.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)
Хиты продаж