Товары из категории транзисторы униполярные, стр.46

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BXW120R036H
Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R036H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
2 102.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW120R036H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXW120R036H4
Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW120R036H4 Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
2 102.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW120R036H4, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXW3M1K7H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
671.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW3M1K7H, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3А; Idm: 12А; 69Вт" 1.

0.0
BXW60M1K2H
Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяBXW60M1K2H Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
3 146.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2H, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXW60M1K2J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора170нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 731.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BXW60M1K2J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт" 1.

0.0
C2M0025120D
Вид каналаобогащенный Время готовности45нс Заряд затвора161нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
16 011.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C2M0025120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; 463Вт; TO247-3; 45нс" 1.

0.0
C2M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
8 363.64 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; 330Вт; TO247-3; 54нс" 1.

0.0
C2M0045170D
Вид каналаобогащенный Время готовности70нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
19 446.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C2M0045170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; 520Вт; TO247-3; 70нс" 1.

0.0
C2M0080120D
Вид каналаобогащенный Время готовности32нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
4 758.89 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M0080120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; 208Вт; TO247-3; 32нс" 1.

0.0
C2M0160120D
Вид каналаобогащенный Время готовности23нс Заряд затвора34нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 418.97 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 17,7А; 125Вт; TO247-3" 1.

0.0
C2M1000170D
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 734.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C2M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,9А; 69Вт; TO247-3; 20нс" 1.

0.0
C2M1000170J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 267.98 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0015065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
8 300.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

0.0
C3M0016120K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
15 108.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

0.0
C3M0030090K
Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
8 063.24 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

0.0
C3M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 782.61 
Доступность: 16 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0040120K
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 389.72 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0060065D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 324.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0060065J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
2 687.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 482.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 075.10 
Доступность: 54 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 324.11 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 339.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
3 280.63 
Доступность: 38 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

0.0
C3M0075120J
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 765.22 
Доступность: 48 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
C3M0075120K
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 495.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4" 1.

0.0
C3M0120090D
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 549.41 
Доступность: 64 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс" 1.

0.0
C3M0120090J
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 944.66 
Доступность: 136 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

0.0
C3M0120100J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 723.32 
Доступность: 24 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0120100K
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 865.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс" 1.

0.0
C3M0160120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора38нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 350.20 
Доступность: 441 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт" 1.

0.0
C3M0160120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 481.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт" 1.

0.0
C3M0280090J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора9,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 155.73 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0350120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 171.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт" 1.

0.0
C3M0350120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 373.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт" 1.

0.0
CAS120M12BM2
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
109 723.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CAS120M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 138А; 62MM; винтами; 925Вт" 1.

0.0
CAS300M12BM2
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
180 237.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CAS300M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 285А; 62MM; винтами; 1,66кВт" 1.

0.0
CAS310M17BM3
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...19В Напряжение сток-исток1,7кВ
202 371.54 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CAS310M17BM3, Модуль; транзистор/транзистор; 1,7кВ; 310А; 62MM; винтами; 1,63кВт" 1.

0.0
CDN1308EDL-CDI
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323
7.91 
Доступность: 6050 шт.
+

Минимальное количество для товара "CDN1308EDL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323; ESD" 25.

0.0
CPC3701CTR
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
158.10 
Доступность: 330 шт.
+

Минимальное количество для товара "CPC3701CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,6А; 1,1Вт; SOT89" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)
Хиты продаж