Товары из категории транзисторы униполярные, стр.70

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
BSS84K-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
24.81 
Доступность: 3526 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84K-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт" 1.

0.0
BSS84LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
13.18 
Доступность: 3405 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS84PH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT23 МонтажSMD
36.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84PH6327XTSA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

0.0
BSS84PWH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT-323 МонтажSMD
20.16 
Доступность: 4169 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84PWH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323" 1.

0.0
BSS84Q-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.03 
Доступность: 232 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84Q-7-F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
BSS84T116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
44.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84T116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

0.0
BSS84V-7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT563 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
41.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84V-7, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -50В; -130мА; 150мВт; SOT563" 3.

0.0
BSS84W-7-F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.43 
Доступность: 3311 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84W-7-F, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,13А; 0,2Вт; SOT323" 1.

0.0
BSS87.115
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSC62, SOT89 МонтажSMD
46.51 
Доступность: 37 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS87,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,2А; 580мВт; SC62,SOT89" 1.

0.0
BSS87H6327FTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток240В
65.12 
Доступность: 553 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

0.0
BST82.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
18.60 
Доступность: 29195 шт.
 

Минимальное количество для товара "BST82,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSV236SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
67.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSV236SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,5А; 0,56Вт; PG-SOT-363" 1.

0.0
BSZ018NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
224.81 
Доступность: 4970 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ018NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
277.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ019N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ025N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
208.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ028N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
164.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ034N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
70.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

0.0
BSZ035N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
239.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSZ040N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
180.62 
Доступность: 1938 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж