Транзисторы униполярные

Производитель

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 302 
Доступность: 55 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 496 
Доступность: 59 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 513 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
3 523 
Доступность: 38 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

0.0
C3M0075120J
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 969 
Доступность: 48 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
C3M0075120K
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 754 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4" 1.

0.0
C3M0120090D
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 664 
Доступность: 75 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс" 1.

0.0
C3M0120090J
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 088 
Доступность: 136 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

0.0
C3M0120100J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 851 
Доступность: 24 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0120100K
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 003 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс" 1.

0.0
C3M0160120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора38нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 450 
Доступность: 441 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт" 1.

0.0
C3M0160120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 591 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0160120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 90Вт" 1.

0.0
C3M0280090J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора9,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 241 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "C3M0280090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0350120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 258 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0350120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5,5А; Idm: 20А; 50Вт" 1.

0.0
C3M0350120J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
1 475 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "C3M0350120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 5А; Idm: 20А; 40,8Вт" 1.

0.0
CAS120M12BM2
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
117 827 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CAS120M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 138А; 62MM; винтами; 925Вт" 1.

0.0
CAS300M12BM2
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
193 548 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CAS300M12BM2, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 285А; 62MM; винтами; 1,66кВт" 1.

0.0
CAS310M17BM3
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...19В Напряжение сток-исток1,7кВ
217 317 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "CAS310M17BM3, Модуль; транзистор/транзистор; 1,7кВ; 310А; 62MM; винтами; 1,63кВт" 1.

0.0
CDN1308EDL-CDI
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323
‍8‍ 
Доступность: 6175 шт.
+

Минимальное количество для товара "CDN1308EDL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323; ESD" 25.

0.0
CPC3701CTR
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
‍170‍ 
Доступность: 340 шт.
+

Минимальное количество для товара "CPC3701CTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,6А; 1,1Вт; SOT89" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (39)