Транзисторы | купить в розницу и оптом

RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3

0.0

КОД:

RYC002N05T316

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

63³⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 10.

SCT040W120G3-4AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

SCT040W120G3-4AG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба МонтажTHT Обозначение производителяSCT040W120G3-4AG Полярностьполевой

3 930⁴⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SCT040W120G3-4AG, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 3.

SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX202GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111

77 452⁴⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 3.

SI4168DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 70А; 5,7Вт

0.0

КОД:

SI4168DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI9435BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9435BDY-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD

80⁹⁹ ^₽

Доступность: 1728 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9435BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8" 3.

SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт

0.0

КОД:

SIHFBC30AS-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD

220⁰⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIHFBC30AS-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; Idm: 14А; 74Вт" 5.

SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт

0.0

КОД:

SIHK125N60EF-T1GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

704²³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А

0.0

КОД:

SIR188LDP-T1-RE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

151⁴¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А" 3000.

SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А

0.0

КОД:

SIS128LDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

158⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 10.

SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А

0.0

КОД:

SISS42LDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

255²⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 10.

SKHI 23/12 R L5002371, Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

0.0

КОД:

SKHI23/12R

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток8А Класс напряжения1,2кВ КорпусSEMIDRIVER МонтажPCB

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

SKIIP 03NEC066V3 25232410, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В

0.0

КОД:

SKIIP03NEC066V3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 03NEC066V3 25232410

15 393⁴⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SKIIP 03NEC066V3 25232410, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 1-фазный диодный мост; Urmax: 600В" 3.

SKIIP 15AC066V1 25230700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А

0.0

КОД:

SKIIP15AC066V1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 1 Механический монтажвинтами Мощность4кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В

16 825⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SKIIP 15AC066V1 25230700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 3.

SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

SKM600GAL126D

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM600GAL126D 21916010

72 804⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SKM600GAL126D 21916010, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 3.

SKYPER PRIME O1700V 1400A ST10 L5068112, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 23.3÷24.7VDC; 15A

0.0

КОД:

SKYPERPO140170ST10

Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток15А Класс напряжения1,7кВ КорпусSKYPER® МонтажPCB

414 368⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SKYPER PRIME O1700V 1400A ST10 L5068112, Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 23.3÷24.7VDC; 15A" 3.

SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252

0.0

КОД:

SQD50N04-4M5L-GE3

Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

423⁴² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 10.

SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8

0.0

КОД:

SQJ476EP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

154⁹³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 5.

STB32N65M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; 150Вт; D2PAK; ESD

0.0

КОД:

STB32N65M5

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD

1 366²⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "STB32N65M5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; 150Вт; D2PAK; ESD" 5.

STB9NK50ZT4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,5А; 110Вт; D2PAK; ESD

0.0

КОД:

STB9NK50ZT4

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

STD3NK100Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 2,5А; 90Вт; DPAK

0.0

КОД:

STD3NK100Z

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

395²⁵ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "STD3NK100Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 2,5А; 90Вт; DPAK" 10.

STD5N80K5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 800В; 2,3А; Idm: 16А

0.0

КОД:

STD5N80K5

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

STL4N80K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

STL4N80K5

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяSTL4N80K5 Полярностьполевой

305⁴⁶ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "STL4N80K5, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 10.

STP33N65M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 96А; 190Вт; TO220-3

0.0

КОД:

STP33N65M2

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора41,5нC КорпусTO220-3 МонтажTHT

670⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "STP33N65M2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 96А; 190Вт; TO220-3" 5.