Товары из категории транзисторы, стр.140

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
EL-MAH01170XA
Вид каналаобогащенный Заряд затвора8,9нC КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-4...20В
817.05 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAH01170XA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7" 1.

0.0
EL-MAKR02120PA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,22мкC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 641.86 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR02120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт" 1.

0.0
EL-MAKR0365XA-TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора240нC КорпусTO247-4-TSC МонтажTHT
2 086.82 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR0365XA-TC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 110А; Idm: 220А; 490Вт" 1.

0.0
EL-MAKR04120PA-TC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-4-TSC МонтажTHT
2 351.94 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR04120PA-TC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

0.0
EL-MAKR04120PA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 998.45 
Доступность: 15 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MAKR04120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

0.0
EL-MANR04120PA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 998.45 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "EL-MANR04120PA, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт" 1.

0.0
EM6J1T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT563
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K31T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
EM6K33T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
84.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K34T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
60.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K6T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
90.70 
Доступность: 7850 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K7T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
86.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K7T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
96.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
EM6M2T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563
66.67 
Доступность: 2862 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6M2T2R, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
EMA2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току68
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMA2T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMA5T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMA5T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMB10T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB10T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB11FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB11FHAT2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
60.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB11T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB2T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB75T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
34.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB75T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMG11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
34.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG11T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG2DXV5T5G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80...140
32.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG2DXV5T5G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SOT553" 5.

0.0
EMG2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG2T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG4T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG4T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG8T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG8T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG9T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG9T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMH10FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
24.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH10FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMH11FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
34.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH11FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
33.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH11T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH1FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
24.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH1FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMH1T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
27.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH1T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH25FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
27.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH25FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH25T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
34.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH25T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
48.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH2T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH3T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH3T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH4FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
74.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH4FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH4T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH4T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH59T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
10.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH59T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 8000.

0.0
EMH60T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
44.19 
Доступность: 7780 шт.
 

Минимальное количество для товара "EMH60T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж