EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт

EM6J1T2R

Срок поставки 4-6 недель

125.00 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
2000+
5000+
8000+
24000+
40000+
Цена
82.48 ₽
45.92 ₽
33.16 ₽
28.91 ₽
26.36 ₽
23.81 ₽
22.11 ₽
20.41 ₽
19.56 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

Артикул производителя
EM6J1T2R ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
1,4нC
Код производителя
EM6J1T2R
Корпус
SOT563
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±10В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,6Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
0,2А
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России