Товары из категории транзисторы, стр.170

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IPA65R650CEXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
168.22 
Доступность: 53 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA65R650CEXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 28Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA65R660CFDXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
235.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA65R660CFDXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 27,8Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA70R360P7SXKSA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
243.41 
Доступность: 79 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA70R360P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; Idm: 34А; 26,5Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA80R1K0CEXKSA2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора31нC КорпусTO220FP МонтажTHT
192.25 
Доступность: 125 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA80R1K0CEXKSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA80R1K4P7XKSA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA80R1K4P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA80R360P7XKSA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
418.60 
Доступность: 46 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; Idm: 34А; 30Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусTO220FP
257.36 
Доступность: 470 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA80R750P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 26Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPA80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора17нC КорпусTO220FP
234.11 
Доступность: 66 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA80R900P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 27Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPA90R800C3XKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
251.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA90R800C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 4,4А; 33Вт; TO220FP" 1.

0.0
IPA95R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусTO220FP
257.36 
Доступность: 84 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA95R1K2P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 27Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPA95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора35нC КорпусTO220FP
462.02 
Доступность: 105 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPA95R450P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPA95R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора23нC КорпусTO220FP
331.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPA95R750P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 28Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPAN60R125PFD7S
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
437.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN60R125PFD7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 16А; Idm: 66А" 1.

0.0
IPAN60R210PFD7S
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
303.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN60R210PFD7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 10А; Idm: 42А" 1.

0.0
IPAN60R280PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
275.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN60R280PFD7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 7А; Idm: 31А" 1.

0.0
IPAN60R360PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT
223.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN60R360PFD7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 6А; Idm: 24А" 1.

0.0
IPAN70R360P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,4нC КорпусTO220FP
257.36 
Доступность: 346 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPAN70R360P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 26,5Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPAN70R450P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13,1нC КорпусTO220FP
141.09 
Доступность: 181 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPAN70R450P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 6,5А; 22,7Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPAN70R750P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора8,3нC КорпусTO220FP
86.05 
Доступность: 168 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPAN70R750P7SXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPAN80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора36нC КорпусTO220FP
694.57 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPAN80R280P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPAN80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220FP
443.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPB010N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 339.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
609.30 
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
513.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
806.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
818.60 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
584.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
753.49 
Доступность: 994 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
945.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
468.22 
Доступность: 917 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
536.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
756.59 
Доступность: 917 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
868.22 
Доступность: 62 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
350.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
621.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB029N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
361.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB030N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
643.41 
Доступность: 992 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB031N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
505.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB031NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
398.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB036N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
893.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж