IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7

IPB017N10N5ATMA1

Срок поставки 4-6 недель

1 097.79 
Доступность: 960 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

Артикул производителя
IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
IPB017N10N5ATMA1
Корпус
PG-TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
375Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,7мОм
Технология
OptiMOS™ 5
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
180А

Отзывы не найдены

Описание (ipb017n10n5-dte.pdf, 1,265 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России