Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 214

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
DN2625DK6-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; DFN8
0.0
DN2625DK6-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625DK6-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; DFN8" 1.

DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252
0.0
DN2625K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
347.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3
0.0
DN3135K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.79 ₽
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

DN3135N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 1,3Вт; SOT89-3
0.0
DN3135N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3135N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 1,3Вт; SOT89-3" 1.

DN3145N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,12А; 1,3Вт; SOT89-3
0.0
DN3145N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3145N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,12А; 1,3Вт; SOT89-3" 1.

DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN3525N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN3535N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
193.43 ₽
Доступность: 1629 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92
0.0
DN3545N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
165.14 ₽
Доступность: 998 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92" 1.

DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN3545N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

DN3765K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 0,2А; 2,5Вт; TO252
0.0
DN3765K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3765K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 0,2А; 2,5Вт; TO252" 1.

ECH8657-TL-H, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
0.0
ECH8657-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6нC КорпусECH8
153.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ECH8657-TL-H, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8" 1.

ECH8690-TL-H, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
0.0
ECH8690-TL-H
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусECH8
260.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ECH8690-TL-H, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

ECH8695R-TL-W, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
0.0
ECH8695R-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Конструкция диодаобщий сток
139.91 ₽
Доступность: 2062 шт.
 

Минимальное количество для товара "ECH8695R-TL-W, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8" 1.

EFC4612R-S-TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; Idm: 60А; 1,6Вт; WLCSP4
0.0
EFC4612R-S-TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWLCSP4 МонтажSMD
39.76 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EFC4612R-S-TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 6А; Idm: 60А; 1,6Вт; WLCSP4" 5.

EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
EM6J1T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT563
115.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD
0.0
EM6K31T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
129.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD" 1.

EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
EM6K33T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
96.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
EM6K34T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
64.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт
0.0
EM6K6T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
103.21 ₽
Доступность: 7850 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
EM6K7T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
97.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж