Товары из категории транзисторы - страница 229

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
40.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7506TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
33.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7507TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 2,4/-1А; 1,25Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
49.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7509TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,7/-2А; 1,25Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
52.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7530TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,4А; 1,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
34.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7601TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,7А; 1,8Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусMicro8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
46.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7606TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; 1,8Вт; Micro8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
33.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7607TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 6,5А; 1,8Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток100В
214.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7665S2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 14,4А; 30Вт; DirectFET" 4800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
40.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7726TRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 1,79Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток40В Обозначение производителяIRF7739L1TRPBF
405.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7739L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 270А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
465.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7739L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 270А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В Обозначение производителяIRF7748L1TRPBF
468.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7748L1TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 28А; 3,3Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
516.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7749L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 33А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора200нC КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
468.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7759L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 26А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDirectFET МонтажSMD Напряжение сток-исток100В
483.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7769L2TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 124А; 125Вт; DirectFET" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
87.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7805TRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7805ZTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
53.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7807VTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
49.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7807ZTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
69.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF7809AVTRPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,3А; 2,5Вт; SO8" 4000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж