Товары из категории транзисторы, стр.233

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
EM6K33T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
84.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K34T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
60.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K6T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
90.70 
Доступность: 7850 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K7T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
86.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
EM6K7T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
96.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
EM6M2T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563
66.67 
Доступность: 2862 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6M2T2R, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
EMA2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току68
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMA2T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMA5T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMA5T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMB10T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB10T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB11FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB11FHAT2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
60.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB11T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB2T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMB75T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
34.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMB75T2R, Транзистор: PNP x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMG11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
34.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG11T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG2DXV5T5G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80...140
32.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG2DXV5T5G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SOT553" 5.

0.0
EMG2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG2T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG4T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG4T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG8T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG8T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG9T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG9T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMH10FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
24.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH10FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMH11FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
34.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH11FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
33.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH11T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH1FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
24.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH1FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMH1T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
27.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH1T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж