Транзисторы | купить в розницу и оптом

5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK

0.0

КОД:

5SNE1600E170300

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300

327 246²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK

0.0

КОД:

5SNE2400E170300

Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300

366 847⁵⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ

0.0

КОД:

5SNG0150P450300

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300

208 436⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG0150Q170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300

22 720⁶⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG0200Q170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300

22 093⁷⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ

0.0

КОД:

5SNG0250P330305

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305

200 098⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG0300Q170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300

41 061⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ

0.0

КОД:

5SNG0450X330300

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300

204 059⁶⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

5SNG1000X170300

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300

173 419⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA1

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

22 518⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA2

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

22 303⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA4

Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

22 303⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

0.0

КОД:

62EM1-00001

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001

60 621²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

6HP04MH-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,37А; Idm: -1,48А; 0,6Вт

0.0

КОД:

6HP04MH-TL-W

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,84нC КорпусSC70, SOT323

31²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "6HP04MH-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,37А; Idm: -1,48А; 0,6Вт" 1.

A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А

0.0

КОД:

A1C15S12M3

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3

13 560⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А

0.0

КОД:

A1P35S12M3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3

14 435⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А

0.0

КОД:

A1P50S65M2

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2

11 810⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А

0.0

КОД:

A2C50S65M2

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2

17 373¹¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А

0.0

КОД:

A2P75S12M3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3

24 161⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

AC847BWQ-7, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT323

0.0

КОД:

AC847BWQ-7

Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке3000шт. КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току200...450 МонтажSMD

84²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AC847BWQ-7, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT323" 1.

AC857BQ-7, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 350мВт; SOT23

0.0

КОД:

AC857BQ-7

Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке3000шт. КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD

91⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AC857BQ-7, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 350мВт; SOT23" 1.

AC857BSQ-7, Транзистор: PNP x2; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT363

0.0

КОД:

AC857BSQ-7

Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке3000шт. КорпусSOT363 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD

101³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AC857BSQ-7, Транзистор: PNP x2; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT363" 1.

AC857CQ-7, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 350мВт; SOT23

0.0

КОД:

AC857CQ-7

Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке3000шт. КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD

79⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AC857CQ-7, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 350мВт; SOT23" 1.

AC857CWQ-7, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT323

0.0

КОД:

AC857CWQ-7

Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке3000шт. КорпусSOT323 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD

91⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AC857CWQ-7, Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,1А; 200мВт; SOT323" 1.