Товары из категории транзисторы, стр.340

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IPAN80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220FP
443.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPAN80R360P7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 30Вт; TO220FP; ESD" 1.

0.0
IPB010N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 339.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB014N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
609.30 
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB015N04LG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
513.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB015N04NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
806.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB015N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
818.60 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB017N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
584.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB017N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
753.49 
Доступность: 994 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB017N10N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
945.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB019N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
468.22 
Доступность: 917 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB024N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
536.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB025N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
756.59 
Доступность: 917 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB025N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
868.22 
Доступность: 62 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB026N06NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
350.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB027N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
621.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB029N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
361.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB030N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
643.41 
Доступность: 992 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

0.0
IPB031N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
505.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB031NE7N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
398.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
IPB036N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
893.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж