Товары из категории транзисторы - страница 374

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6
120.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
86.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6
166.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
167.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
156.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
114.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
84.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
99.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTSMT8
221.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSMT8
233.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8
257.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT8
178.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусTSMD8
298.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
172.96 
Доступность: 973 шт.
 

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
138.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
312.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
207.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусTO252 МонтажSMD
246.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 8А; 59Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
97.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6004JND3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 12А; 60Вт; TO252" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусD2PAK МонтажSMD
322.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "R6007ENJTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж