Товары из категории транзисторы - страница 435

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
88.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
171.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
95.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA72ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 96А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
526.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH112E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 225А; Idm: 300А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
700.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5100E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 277А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
811.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 302А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
819.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH600E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 373А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,21мкC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
558.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А" 2000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23-6
71.00 
Доступность: 1170 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC КорпусSOT23-6
59.67 
Доступность: 2085 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
277.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
174.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
174.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
200.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
171.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR108DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 45А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
134.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR112DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 133А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
185.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR120DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 106А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
115.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 59,6А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
115.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 62,3А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж