Транзисторы | купить в розницу и оптом

AOD66616, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOD66616

Вид каналаобогащенный МонтажTHT Обозначение производителяAOD66616 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD66616, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

AOD66620, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOD66620

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD66620 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

154³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD66620, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

AOD66919, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOD66919

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD66919 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD66919, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

AOD66920, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOD66920

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD66920 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

147⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD66920, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

AOD66923, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 36,5А; 29Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD66923

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,5нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD66923, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 36,5А; 29Вт; TO252" 1.

AOD6B60M1, Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,09мДж

0.0

КОД:

AOD6B60M1

Вид упаковкибобина, лента Время включения20нс Время выключения158нс Заряд затвора14нC КорпусTO252

145⁸³ ^₽

Доступность: 1787 шт.

Минимальное количество для товара "AOD6B60M1, Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,09мДж" 1.

AOD6B65MQ1E, Транзистор: IGBT; 650В; 6А; 38Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD6B65MQ1E

Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD6B65MQ1E, Транзистор: IGBT; 650В; 6А; 38Вт; TO252" 1.

AOD7B65M3, Транзистор: IGBT; 650В; 7А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,099мДж

0.0

КОД:

AOD7B65M3

Вид упаковкибобина, лента Время включения21нс Время выключения136нс Заряд затвора14нC КорпусTO252

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD7B65M3, Транзистор: IGBT; 650В; 7А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,099мДж" 1.

AOD7N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,5А; 178Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD7N60

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD7N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,5А; 178Вт; TO252" 1.

AOD7N65, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,3А; 178Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD7N65

Вид каналаобогащенный Заряд затвора19,6нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD7N65, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,3А; 178Вт; TO252" 1.

AOD7S60, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOD7S60

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOD7S60 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD7S60, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

AOD7S65, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; 89Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD7S65

Вид каналаобогащенный Заряд затвора9,2нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

182⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD7S65, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; 89Вт; TO252" 1.

AOD8B65MQ1, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 36Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD8B65MQ1

Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD8B65MQ1, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 36Вт; TO252" 1.

AOD8N25, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 78Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD8N25

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

201⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD8N25, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 5А; 78Вт; TO252" 1.

AOD950A70, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,2А; 56,5Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD950A70

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

163⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOD950A70, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,2А; 56,5Вт; TO252" 1.

AOD9N40, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 5А; 125Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD9N40

Вид каналаобогащенный Заряд затвора19,5нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

248¹¹ ^₽

Доступность: 518 шт.

Минимальное количество для товара "AOD9N40, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 5А; 125Вт; TO252" 1.

AOD9N50, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,7А; 178Вт; TO252

0.0

КОД:

AOD9N50

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13,1нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

103²² ^₽

Доступность: 2041 шт.

Минимальное количество для товара "AOD9N50, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,7А; 178Вт; TO252" 1.

AOE66410, Транзистор: N-MOSFET; полевой

0.0

КОД:

AOE66410

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOE66410 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOE66410, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

AOE6930, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6

0.0

КОД:

AOE6930

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD

328⁶⁰ ^₽

Доступность: 970 шт.

Минимальное количество для товара "AOE6930, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6" 1.

AOE6932, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

0.0

КОД:

AOE6932

Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD

274⁶² ^₽

Доступность: 2520 шт.

Минимальное количество для товара "AOE6932, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6" 1.

AOE6936, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 35/67А; 9,6/15Вт; DFN5x6

0.0

КОД:

AOE6936

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Конструкция диодаасимметричная КорпусDFN5x6 МонтажSMD

226³³ ^₽

Доступность: 1651 шт.

Минимальное количество для товара "AOE6936, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 35/67А; 9,6/15Вт; DFN5x6" 1.

AOH3106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 2Вт; SOT223

0.0

КОД:

AOH3106

Вид каналаобогащенный Заряд затвора4,8нC КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

66²⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOH3106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 2Вт; SOT223" 1.

AOH3254, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 4А; 2,6Вт; SOT223

0.0

КОД:

AOH3254

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,5нC КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

226³³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOH3254, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 4А; 2,6Вт; SOT223" 1.

AOI1R4A70, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,4А; 48Вт; TO251A

0.0

КОД:

AOI1R4A70

Вид каналаобогащенный Заряд затвора8нC КорпусTO251A МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

177⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "AOI1R4A70, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,4А; 48Вт; TO251A" 1.