Товары из категории транзисторы, стр.470

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
LP0701N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±10В
336.43 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "LP0701N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
LSIC1MO120E0080
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 046.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120E0080, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 179Вт" 1.

0.0
LSIC1MO120E0120
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 669.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120E0120, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 60А; 139Вт" 1.

0.0
LSIC1MO120E0160
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 088.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120E0160, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 44А; 125Вт" 1.

0.0
LSIC1MO120G0025
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора265нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
6 953.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120G0025, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; Idm: 200А; 500Вт" 1.

0.0
LSIC1MO120G0040
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора175нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 407.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120G0040, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 130А; 357Вт" 1.

0.0
LSIC1MO120T0080-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 959.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0080-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; TO263-7" 1.

0.0
LSIC1MO120T0120-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 793.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0120-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; TO263-7" 1.

0.0
LSIC1MO120T0160-TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора57нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 891.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120T0160-TU, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 22А; TO263-7" 1.

0.0
LSIC1MO170E0750
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 370.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO170E0750, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,4А; Idm: 11А; 60Вт" 1.

0.0
MAT14ARZ
Вид упаковкитуба КорпусSO14 Коэффициент усиления по току500 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
1 968.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MAT14ARZ, Транзистор: NPN x4; биполярный; 40В; 30мА; SO14" 1.

0.0
MBT2222ADW1T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
30.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MBT2222ADW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; 40В; 0,6А; 0,15Вт" 1.

0.0
MBT3904DW1T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
18.60 
Доступность: 3854 шт.
 

Минимальное количество для товара "MBT3904DW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; 40В; 0,2А; 0,15Вт" 1.

0.0
MBT3906DW1T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 Коэффициент усиления по току100...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
16.28 
Доступность: 4574 шт.
 

Минимальное количество для товара "MBT3906DW1T1G, Транзистор: PNP x2; биполярный; 40В; 0,2А; 0,15Вт" 1.

0.0
MBT6429DW1T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 Коэффициент усиления по току500...1250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
33.33 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "MBT6429DW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; 45В; 0,2А; 0,15Вт" 1.

0.0
MCB20P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
13 879.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

0.0
MCB30P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
35 714.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

0.0
MCB40P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
54 986.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

0.0
MCB60I1200TZ-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C КорпусTO268AAHV МонтажSMD
26 697.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

0.0
MCB60P1200TLB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
61 351.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж