Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы - страница 526

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
US6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6; ESD
0.0
US6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусTUMT6
153.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6
0.0
US6K2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусTUMT6
146.53 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6" 1.

US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD
0.0
US6K4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTUMT6
154.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А
0.0
US6M11TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8/2,4нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
132.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А" 1.

US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт
0.0
US6M1TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
160.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт" 1.

US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт
0.0
US6M2TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
131.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт" 1.

UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт
0.0
UT6JA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
127.64 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт
0.0
UT6JA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
179.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

UT6K30TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8
0.0
UT6K30TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
256.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6K30TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8" 1.

UT6K3TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8
0.0
UT6K3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
134.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6K3TCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,5А; Idm: 12А; 2Вт; DFN2020D-8" 1.

UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт
0.0
UT6MA2TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3/6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
94.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт
0.0
UT6MA3TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD
212.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА
0.0
VMM300-03F
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
76 263.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА" 1.

VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™
0.0
VMM650-01F
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-Li Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
103 368.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™" 1.

VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC
0.0
VMO550-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
92 592.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC" 1.

VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт
0.0
VMO60-05F
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора405нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусTO240AA
14 157.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт" 1.

VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА
0.0
VMO650-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2,3мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
53 805.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА" 1.

VN0104N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
0.0
VN0104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
196.37 ₽
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0104N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

VN0106N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
0.0
VN0106N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
132.93 ₽
Доступность: 343 шт.
 

Минимальное количество для товара "VN0106N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

VN0106N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
0.0
VN0106N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
124.62 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VN0106N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж