Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы - страница 529

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92
0.0
VP2106N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
163.14 ₽
Доступность: 596 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3
0.0
VP2110K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
141.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3" 1.

VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39
0.0
VP2206N2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
4 378.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39" 1.

VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
0.0
VP2206N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
734.14 ₽
Доступность: 1018 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт
0.0
VP2450N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
299.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт" 1.

VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
0.0
VP2450N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
418.43 ₽
Доступность: 162 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт" 1.

VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
0.0
VP3203N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
354.23 ₽
Доступность: 91 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
VP3203N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
370.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт
0.0
VS-FA40SA50LC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
5 378.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт" 1.

VS-FC420SA10, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт
0.0
VS-FC420SA10
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
6 051.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA10, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт" 1.

VS-FC420SA15, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 300А; SOT227B; винтами; 909Вт
0.0
VS-FC420SA15
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
7 744.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA15, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 300А; SOT227B; винтами; 909Вт" 1.

VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А
0.0
VT6M1T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT6 МонтажSMD
55.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А" 1.

VUM25-05E, Модуль; диод/транзистор; 500В; 35А; V1-A-Pack; коннекторы FASTON
0.0
VUM25-05E
Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
8 722.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM25-05E, Модуль; диод/транзистор; 500В; 35А; V1-A-Pack; коннекторы FASTON" 1.

VUM33-06PH, Модуль; диод/транзистор; 600В; 50А; V1-B-Pack; коннекторы FASTON
0.0
VUM33-06PH
Заряд затвора165нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-B-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
10 340.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM33-06PH, Модуль; диод/транзистор; 600В; 50А; V1-B-Pack; коннекторы FASTON" 1.

VUM85-05A, Модуль; диод/транзистор; 500В; 130А; V2-Pack; Press-in PCB; 945нC
0.0
VUM85-05A
Заряд затвора945нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
28 046.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM85-05A, Модуль; диод/транзистор; 500В; 130А; V2-Pack; Press-in PCB; 945нC" 1.

WM01P41M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23
0.0
WM01P41M-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяWM01P41M
71.00 ₽
Доступность: 2995 шт.
 

Минимальное количество для товара "WM01P41M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23" 1.

WM01P60M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23
0.0
WM01P60M-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяWM01P60M
87.61 ₽
Доступность: 1465 шт.
 

Минимальное количество для товара "WM01P60M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23" 1.

WM02DH08D, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363; ESD
0.0
WM02DH08D-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD
58.91 ₽
Доступность: 1527 шт.
 

Минимальное количество для товара "WM02DH08D, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363; ESD" 1.

WM02DN080C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD
0.0
WM02DN080C-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6
108.01 ₽
Доступность: 489 шт.
 

Минимальное количество для товара "WM02DN080C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

WM02DN085C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD
0.0
WM02DN085C-CYG
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6
108.01 ₽
Доступность: 500 шт.
 

Минимальное количество для товара "WM02DN085C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж