Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы - страница 580

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
WMT4N65D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; SOT223
0.0
WMT4N65D1B-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
27.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMT4N65D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; SOT223" 5.

WMU080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO220FP
0.0
WMU080N10HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220FP МонтажTHT Обозначение производителяWMU080N10HG2
164.55 ₽
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMU080N10HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO220FP" 1.

WMX3N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 90Вт
0.0
WMX3N150D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO3PF МонтажTHT
252.06 ₽
Доступность: 355 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMX3N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 90Вт" 1.

WMX4N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 4А; Idm: 16А; 90Вт
0.0
WMX4N150D1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора41нC КорпусTO3PF МонтажTHT
235.60 ₽
Доступность: 184 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMX4N150D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1,5кВ; 4А; Idm: 16А; 90Вт" 1.

WMZ13N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт
0.0
WMZ13N65EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,3нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
340.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ13N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт" 1.

WMZ26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А
0.0
WMZ26N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
599.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

WMZ26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А
0.0
WMZ26N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
470.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ26N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

WMZ36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
0.0
WMZ36N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
729.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

WMZ53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 280Вт
0.0
WMZ53N60F2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусDFN8x8 МонтажSMD
863.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMZ53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 280Вт" 1.

WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт
0.0
WNSC2M20120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 135.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M20120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт" 1.

WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт
0.0
WNSC2M40120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 928.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSC2M40120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт" 1.

WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт
0.0
WNSCM80120R6Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора59нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 130.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт" 1.

XP151A11B0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD
0.0
XP151A11B0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
134.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A11B0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD
0.0
XP151A13A0MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
132.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP151A13A0MR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3; ESD" 1.

XP152A11E5MR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,7А; Idm: -2,8А; 0,5Вт; ESD
0.0
XP152A11E5MR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD
99.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP152A11E5MR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,7А; Idm: -2,8А; 0,5Вт; ESD" 1.

XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD
0.0
XP161A11A1PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
175.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A11A1PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD
0.0
XP161A1265PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
201.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1265PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

XP161A1355PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD
0.0
XP161A1355PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
150.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP161A1355PR-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 16А; 2Вт; SOT89-3; ESD" 1.

XP162A11C0PR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3
0.0
XP162A11C0PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
171.28 ₽
Доступность: 334 шт.
 

Минимальное количество для товара "XP162A11C0PR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3" 1.

XP162A12A6PR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3
0.0
XP162A12A6PR-G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD
195.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "XP162A12A6PR-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж