Товары из категории транзисторы, стр.584

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
RU1C002UNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
48.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

0.0
RU1C002ZPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323F МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

0.0
RU1E002SPTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

0.0
RU1J002YNTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
32.56 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
RU1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200мВт; SOT323F" 1.

0.0
RUC002N05HZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
31.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05HZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RUC002N05T116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
37.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUC002N05T116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RUF015N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF015N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUF020N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
86.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUF025N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
89.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUF025N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
85.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUF025N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RUM001L02T2CL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
41.09 
Доступность: 14099 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM001L02T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
RUM002N02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
48.84 
Доступность: 3876 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N02T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
RUM002N05T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
52.71 
Доступность: 8290 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUM002N05T2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723" 1.

0.0
RUQ050N02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
49.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUQ050N02FRATR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5А; Idm: 10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RUR020N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
117.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR020N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RUR040N02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
145.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02FRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RUR040N02TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
141.09 
Доступность: 2780 шт.
 

Минимальное количество для товара "RUR040N02TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; Idm: 8А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RV1C001ZPT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
44.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

0.0
RV1C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
27.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж