RUC002N05HZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3

RUC002N05HZGT116
33.99 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
30000+
Цена
22.66 ₽
15.86 ₽
13.60 ₽
9.06 ₽
8.31 ₽
6.80 ₽
6.04 ₽
5.29 ₽
5.29 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "RUC002N05HZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 800А; 350мВт; SST3" 1.

Артикул производителя
RUC002N05HZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
SST3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
50В
Обозначение производителя
RUC002N05HZGT116
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
0,2А
Ток стока в импульсном режиме
800А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России