Товары из категории транзисторы, стр.633

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIR178DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
173.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR178DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 430А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR180ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
193.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 137А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR180DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR182DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
167.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 117А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR182LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR182LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 130А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR184DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
107.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR184DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 73А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR186DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR186DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 57Вт" 3000.

0.0
SIR186LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
210.08 
Доступность: 1206 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR186LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 80,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIR188DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
133.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR188LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR188LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 93,6А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR401DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
100.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 3000.

0.0
SIR402DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 36Вт" 3000.

0.0
SIR403EDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SIR404DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
218.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR404DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR410DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
103.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR410DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт" 3000.

0.0
SIR416DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
133.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR416DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR418DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
130.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR418DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт" 3000.

0.0
SIR422DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
173.64 
Доступность: 2528 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR422DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; Idm: 70А; 22,2Вт" 1.

0.0
SIR424DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
89.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR424DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 30А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIR426DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
182.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR426DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 30А; Idm: 70А; 26,7Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж