SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А

SIR403EDP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

95.24 
Оптовые цены:
Кол-во
3000+
Цена
95.24 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А" 3000.

Артикул производителя
SIR403EDP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
153нC
Код производителя
SIR403EDP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
56,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-40А
Ток стока в импульсном режиме
-60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России