Товары из категории транзисторы, стр.657

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SQ2351ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
108.53 
Доступность: 697 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2361AEES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23
184.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2361ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
121.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2362ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
110.85 
Доступность: 46 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2364EES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT23
107.75 
Доступность: 1992 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

0.0
SQ2389ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
90.70 
Доступность: 1941 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2398ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
110.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

0.0
SQ3426AEEV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
71.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

0.0
SQ3426EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
111.63 
Доступность: 1938 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

0.0
SQ3427AEEV-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6
110.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

0.0
SQ3427EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
157.36 
Доступность: 1196 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3427EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

0.0
SQ3457EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 3000.

0.0
SQ3457EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
77.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3457EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,8А; Idm: -27А" 1.

0.0
SQ3461EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
135.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3461EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6,6А; 1,67Вт; TSOP6" 1.

0.0
SQ3481EV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3481EV-T1_BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SQ3493EV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3493EV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А; 5Вт" 3000.

0.0
SQ4050EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусSO8 МонтажSMD
130.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

0.0
SQ4153EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусSO8 МонтажSMD
260.47 
Доступность: 2326 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4153EY-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8" 1.

0.0
SQ4282EY-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусSO8 МонтажSMD
184.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4282EY-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А" 2500.

0.0
SQ4284EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
341.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4284EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,9Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж