SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А

SQ3427AEEV-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

206.63 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
Цена
142.01 ₽
102.04 ₽
89.29 ₽
75.68 ₽
71.43 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQ3427AEEV-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А" 1.

Артикул производителя
SQ3427AEEV-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
22нC
Код производителя
SQ3427AEEV-T1_GE3
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Полярность
полевой
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
178мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,3А
Ток стока в импульсном режиме
-21А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России