Товары из категории транзисторы, стр.660

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SQJQ130EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора455нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
358.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А" 2000.

0.0
SQJQ184E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора272нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
446.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А" 2000.

0.0
SQJQ900E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
353.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ900E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 60А; 25Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SQJQ960EL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
403.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ960EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 36А; 24Вт; PowerPAK® 8x8L" 1.

0.0
SQM100N04-2M7-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95,5нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
443.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM100P10-19L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
598.45 
Доступность: 724 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM100P10-19L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM120N06-3M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
651.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM120N10-3M8-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора125нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
680.62 
Доступность: 220 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SQM120P06-07L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
584.50 
Доступность: 239 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQM120P06-07L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт" 1.

0.0
SQS141ELNW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора141нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
84.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS141ELNW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А" 3000.

0.0
SQS142ENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
68.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS142ENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А" 3000.

0.0
SQS401EN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS401EN-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт" 1.

0.0
SQSA82CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA82CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт" 3000.

0.0
SQSA84CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA84CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт" 3000.

0.0
SS8050-H-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току200...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер25В
3.10 
Доступность: 4300 шт.
 

Минимальное количество для товара "SS8050-H, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 50.

0.0
SS8050-HQ-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току200...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер25В
5.43 
Доступность: 345 шт.
 

Минимальное количество для товара "SS8050-HQ, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 30.

0.0
SS8050-L-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току120...200 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер25В
3.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SS8050-L, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 50.

0.0
SS8050-LQ-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току120...200 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер25В
3.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SS8050-LQ, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 30.

0.0
SS8050-M-YAN
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току160...300 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер25В
16.28 
Доступность: 1575 шт.
 

Минимальное количество для товара "SS8050-M, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 5.

0.0
SS8050CBU
Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 Коэффициент усиления по току120...200 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер25В
51.16 
Доступность: 583 шт.
 

Минимальное количество для товара "SS8050CBU, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 1,5А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж