SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263

SQM120N10-3M8-GE3

Срок поставки 4-6 недель

775.98 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
Цена
528.11 ₽
483.82 ₽
462.52 ₽
446.34 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Артикул производителя
SQM120N10-3M8_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
125нC
Код производителя
SQM120N10-3M8_GE3
Корпус
D2PAK, TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
375Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
120А

Отзывы не найдены

Описание (sqm120n10-3m8.pdf, 171 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России