Товары из категории транзисторы - страница 86

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC098N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
217.13 
Доступность: 2049 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC105N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
53.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
0.00 
Нет в наличии
 
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC117N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 49А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC118N10NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
103.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
126.91 
Доступность: 3152 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC123N10LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC12DN20NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
89.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 42А; 60Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC16DN25NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,9А; 62,5Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC190N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 44А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
347.86 
Доступность: 1446 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж