Товары от производителя DIODES INCORPORATED - страница 154

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
69.70 
Доступность: 2869 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
54.29 
Доступность: 738 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F34FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,9А; 0,95Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
75.57 
Доступность: 4047 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
179.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,6А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
96.85 
Доступность: 2678 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A14FQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
27.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 9,4А; 0,625Вт; SOT23" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
97.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3B14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
82.91 
Доступность: 745 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,7А; 0,95Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
174.61 
Доступность: 357 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN4A06GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
259.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN4A06KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10,9А; 4,2Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
104.18 
Доступность: 2998 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,1А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
111.52 
Доступность: 535 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMN6A08E6QTA Полярностьполевой
152.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A08E6QTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
146.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A08GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,8А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
278.06 
Доступность: 599 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A09GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
198.83 
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A11DN8TA, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN6A25KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9А; 4,25Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
173.88 
Доступность: 1003 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN7A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 70В; 3А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
79.24 
Доступность: 2033 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP10A13FQTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,7А; Idm: -3,1А; 0,625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.99 
Доступность: 5637 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMP10A13FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки