Бренды :: DIOTEC SEMICONDUCTOR

MMDTD141, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,5А; 200мВт; SOT23; R1: 10кОм

0.0

КОД:

MMDTD141-DIO

Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMDTD141, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,5А; 200мВт; SOT23; R1: 10кОм" 1.

MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт

0.0

КОД:

MMFT8472DW-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

30³⁰ ^₽

Доступность: 570 шт.

Минимальное количество для товара "MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт" 1.

MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А

0.0

КОД:

MMFTC6333-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7нC КорпусSOT26 МонтажSMD

89⁹⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А" 1.

MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А

0.0

КОД:

MMFTC6420-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD

150⁵⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А" 1.

MMFTN1092K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN1092K-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23

115⁵³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN1092K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23" 1.

MMFTN1092K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN1092K-AQ-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSOT23

121²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN1092K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23" 1.

MMFTN123, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт

0.0

КОД:

MMFTN123-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

15¹⁵ ^₽

Доступность: 2690 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN123, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт" 1.

MMFTN123K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,9Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN123K-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT23

57⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN123K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,9Вт; SOT23" 1.

MMFTN138, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN138-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

14²⁰ ^₽

Доступность: 2430 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN138, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23" 1.

MMFTN138-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN138-AQ-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

7⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN138-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23" 1.

MMFTN138K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN138K-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSOT23

41⁶⁷ ^₽

Доступность: 2978 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN138K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

MMFTN138K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN138K-AQ-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSOT23

51¹⁴ ^₽

Доступность: 3000 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN138K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

MMFTN138W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 220мА; Idm: 0,88А; 0,2Вт; SOT323

0.0

КОД:

MMFTN138W-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT323 МонтажSMD

44⁵¹ ^₽

Доступность: 350 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN138W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 220мА; Idm: 0,88А; 0,2Вт; SOT323" 1.

MMFTN170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN170-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

15¹⁵ ^₽

Доступность: 3100 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

MMFTN20, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN20-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

15¹⁵ ^₽

Доступность: 50 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN20, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SOT23" 1.

MMFTN210A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 7,2А; 1,56Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN210A-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD

9⁴⁷ ^₽

Доступность: 1100 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN210A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 7,2А; 1,56Вт; SOT23" 1.

MMFTN2316K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,2А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23; ESD

0.0

КОД:

MMFTN2316K-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSOT23

100³⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN2316K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,2А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23; ESD" 1.

MMFTN2362, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN2362-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD

30³⁰ ^₽

Доступность: 2970 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN2362, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23" 1.

MMFTN2362-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN2362-AQ-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD

30³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN2362-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23" 1.

MMFTN3018W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323

0.0

КОД:

MMFTN3018W-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

15¹⁵ ^₽

Доступность: 342 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN3018W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 1.

MMFTN3402, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN3402-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

17⁹⁹ ^₽

Доступность: 5990 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN3402, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1Вт; SOT23" 1.

MMFTN3404A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN3404A-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

38⁸³ ^₽

Доступность: 2665 шт.

Минимальное количество для товара "MMFTN3404A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23" 1.

MMFTN3404A-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23

0.0

КОД:

MMFTN3404A-AQ-DIO

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

30³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN3404A-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23" 1.

MMFTN340K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; SOT23; ESD

0.0

КОД:

MMFTN340K-DIO

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусSOT23

69¹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "MMFTN340K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.