Товары от производителя DIOTEC SEMICONDUCTOR - страница 130

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMBT7002K КорпусSOT23
16.58 
Доступность: 4719 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC Код производителяMMBT7002KDW-AQ
27.36 
Доступность: 2715 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC Код производителяMMBT7002KDW
42.29 
Доступность: 1352 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMBT7002KW-AQ КорпусSOT323
29.02 
Доступность: 2563 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBT7002KW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFT8472DW КорпусSOT363 МонтажSMD
43.95 
Доступность: 2902 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7нC Код производителяMMFTC6333 КорпусSOT26
91.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC Код производителяMMFTC6420 КорпусSOT26, SOT457
152.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяMMFTN1092K-AQ
122.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN1092K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяMMFTN1092K
116.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN1092K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; Idm: 15А; 1,2Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN123 КорпусSOT23 МонтажSMD
34.00 
Доступность: 2384 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN123, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяMMFTN123K
58.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN123K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,9Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN138-AQ КорпусSOT23 МонтажSMD
7.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN138 КорпусSOT23 МонтажSMD
29.85 
Доступность: 3612 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,36Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC Код производителяMMFTN138K-AQ
21.56 
Доступность: 1743 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC Код производителяMMFTN138K
27.36 
Доступность: 1264 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC Код производителяMMFTN138W КорпусSOT323
15.75 
Доступность: 340 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN138W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 220мА; Idm: 0,88А; 0,2Вт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN170 КорпусSOT23 МонтажSMD
36.48 
Доступность: 4265 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN20 КорпусSOT23 МонтажSMD
38.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN20, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяMMFTN210A КорпусSOT23
43.95 
Доступность: 2646 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN210A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 7,2А; 1,56Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяMMFTN2316K
101.99 
Доступность: 2910 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN2316K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,2А; Idm: 25А; 1,5Вт; SOT23; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Версия
Кол-во каналов
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Тип средств разработки
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Ток стока в импульсном режиме
Компоненты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения
Выводы