Товары от производителя DIOTEC SEMICONDUCTOR - страница 131

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,6нC Код производителяMMFTN2362-AQ КорпусSOT23
30.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN2362-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,6нC Код производителяMMFTN2362 КорпусSOT23
53.90 
Доступность: 1988 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN2362, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN3018W КорпусSOT323 МонтажSMD
14.93 
Доступность: 262 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3018W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN3402 КорпусSOT23 МонтажSMD
28.19 
Доступность: 1892 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3402, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 15А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN3404A-AQ КорпусSOT23 МонтажSMD
41.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3404A-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN3404A КорпусSOT23 МонтажSMD
77.94 
Доступность: 1152 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3404A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяMMFTN340K-AQ
73.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN340K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC Код производителяMMFTN340K
62.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN340K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC Код производителяMMFTN3422ASK
76.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3422ASK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN3422K КорпусSOT23 МонтажSMD
68.82 
Доступность: 3230 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3422K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяMMFTN3479KW КорпусSOT323
30.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN3479KW, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,5А; Idm: 14А; 0,9Вт; SOT323" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC Код производителяMMFTN4520-AQ КорпусSOT23
116.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN4520-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 1А; Idm: 4А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC Код производителяMMFTN4520 КорпусSOT23
76.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN4520, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 1А; Idm: 4А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC Код производителяMMFTN490K-AQ КорпусSOT23
41.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN490K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23" 5.

ВерсияESD Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC Код производителяMMFTN501K
135.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN501K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30мА; Idm: 0,12А; 500мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN6001 КорпусSOT23 МонтажSMD
22.39 
Доступность: 161933 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN6001, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 440мА; Idm: 1А; 530мВт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяMMFTN6190KDW
29.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC Код производителяMMFTN620KD-AQ КорпусSOT26, SOT457
14.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTN620KD-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC Код производителяMMFTN620KD КорпусSOT26, SOT457
10.78 
Доступность: 2840 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN620KD, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт" 20.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяMMFTN620KDW-AQ КорпусSOT363
58.04 
Доступность: 2830 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид стабилизатора напряжения
Опорное напряжение
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Версия
Кол-во каналов
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Емкость
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Тип средств разработки
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Электрический монтаж
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Ток стока в импульсном режиме
Компоненты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения
Выводы