Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя GeneSiC SEMICONDUCTOR - страница 2

Сортировать по:
Новинки ниже
GE08MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8А; TO220-2; туба
0.0
GE08MPS06A
Вид упаковкитуба Импульсный ток36А Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2 МонтажTHT
412.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE08MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8А; TO220-2; туба" 1.

GE10MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10А; TO220-2; туба
0.0
GE10MPS06A
Вид упаковкитуба Импульсный ток44А Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO220-2 МонтажTHT
506.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE10MPS06A, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10А; TO220-2; туба" 1.

GE2X10MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; туба
0.0
GE2X10MPS06D
Вид упаковкитуба Импульсный ток44А Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 094.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GE2X10MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; туба" 1.

GE2X8MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8Аx2; TO247-3; туба
0.0
GE2X8MPS06D
Вид упаковкитуба Импульсный ток36А Конструкция диодадвойной, общий катод КорпусTO247-3 МонтажTHT
704.80 ₽
Доступность: 60 шт.
 

Минимальное количество для товара "GE2X8MPS06D, Диод: выпрямительный Шоттки; SiC; THT; 650В; 8Аx2; TO247-3; туба" 1.

G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
0.0
G2R1000MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 022.88 ₽
Доступность: 171 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 037.64 ₽
Доступность: 813 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 834.69 ₽
Доступность: 135 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
0.0
G3R160MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 159.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 845.02 ₽
Доступность: 531 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
0.0
G3R20MT12N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
8 939.48 ₽
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
17 635.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
0.0
G3R20MT17N
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В
18 314.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 815.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 647.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт
0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
607.38 ₽
Доступность: 271 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
714.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 052.40 ₽
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 438.38 ₽
Доступность: 263 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт
0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
964.58 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 009.59 ₽
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

Показать еще 8 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки