Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя GeneSiC SEMICONDUCTOR - страница 4

Сортировать по:
Новинки ниже
G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC Код производителяG3R30MT12J КорпусTO263-7
4 286.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC Код производителяG3R30MT12K КорпусTO247-4
4 098.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт
0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяG3R350MT12D КорпусTO247-3
682.42 ₽
Доступность: 238 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяG3R350MT12J КорпусTO263-7
802.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12D КорпусTO247-3
3 429.52 ₽
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
0.0
G3R40MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт" 1.

G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12K КорпусTO247-4
2 739.64 ₽
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт
0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC Код производителяG3R450MT17D КорпусTO247-3
1 083.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC Код производителяG3R450MT17J КорпусTO263-7
1 134.33 ₽
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC Код производителяG3R45MT17D КорпусTO247-3
5 487.56 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC Код производителяG3R45MT17K КорпусTO247-4
5 465.17 ₽
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12D КорпусTO247-3
2 225.54 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт
0.0
G3R75MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт" 1.

G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12K КорпусTO247-4
1 480.93 ₽
Доступность: 436 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

GB2X100MPS12-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B
0.0
GB2X100MPS12-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,8кА Код производителяGB2X100MPS12-227 Конструкция диода2 независимых диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GB2X100MPS12-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

GB2X50MPS12-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 50Аx2; SOT227B
0.0
GB2X50MPS12-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,4кА Код производителяGB2X50MPS12-227 Конструкция диода2 независимых диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GB2X50MPS12-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 50Аx2; SOT227B" 1.

GB2X50MPS17-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,7кВ; If: 50Аx2; SOT227B
0.0
GB2X50MPS17-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,432кА Код производителяGB2X50MPS17-227 Конструкция диода2 независимых диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GB2X50MPS17-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,7кВ; If: 50Аx2; SOT227B" 1.

GC2X100MPS06-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 100Аx2; SOT227B
0.0
GC2X100MPS06-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,64кА Код производителяGC2X100MPS06-227 Конструкция диода2 независимых диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GC2X100MPS06-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 100Аx2; SOT227B" 1.

GC2X50MPS06-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 50Аx2; SOT227B
0.0
GC2X50MPS06-227
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,32кА Код производителяGC2X50MPS06-227 Конструкция диода2 независимых диода
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GC2X50MPS06-227, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 50Аx2; SOT227B" 1.

GD2X100MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
0.0
GD2X100MPS06N
Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,44кА Код производителяGD2X100MPS06N Конструкция диода2 независимых диода
8 388.06 ₽
Доступность: 68 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD2X100MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B" 1.

Показать еще 4 товара
Фильтры товаров
Срок поставки
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Механический монтаж
Обратное напряжение макс.
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Корпус
Падение напряжения макс.
Тип модуля
Ток стока
Электрический монтаж
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов